【和訳演習】 US4692781 Semiconductor Device with electrostatic discharge protection

（翻訳文）

【請求項１】

1. An input protection structure for an MOS device, comprising:

(a) a metal input pad on a face of a silicon chip,                                       

　（ａ）シリコンチップの表面上に形成された金属入力パッドと、

(b) a transistor having a thick gate oxide, having a source-to-drain path connecting said metal input pad to a voltage-supply conductor, having a metal gate, and having a drain region directly connected to said metal gate and metal input pad at an elongated contact area parallel to the width of said source-to-drain path,

　（ｂ）厚みのあるゲート酸化膜と、前記金属入力パッドを電圧供給用導体に接続するソース－ドレイン間パスと、金属ゲートと、前記ソース－ドレイン間パスの幅に平行な細長の接触領域で前記金属ゲート及び金属入力パッドに直接接続されたドレイン領域とを備えるトランジスタとを有し、

(c) wherein the width of said source-to-drain path is at least about 25 times the length of the source-to-drain path, and wherein the spacing along said face between said source-to-drain path and said elongated contact area is at least about twice said length of the source-to-drain path.

　（ｃ）前記ソース－ドレイン間パスの幅は前記ソース－ドレイン間パスの長さの少なくとも約２５倍で、前記ソース－ドレイン間パスと前記細長の接触領域との間の前記表面に沿った前記間隔は前記ソース－ドレイン間パスの長さの少なくとも約２倍である、

ＭＯＳデバイス用入力保護構造。

【請求項４】

4. A protection structure for a semiconductor device, comprising:

(a) a metal bonding pad at a face of a silicon chip,

　（ａ）シリコンチップの表面に形成された金属ボンディングパッドと、

(b) a current path in said face of the silicon chip at the surface thereof, said current path being many times wider than its length;

　（ｂ）前記シリコンチップの表面で、その表面の一部の中に形成された電流パスであって、前記電流パスの幅は、その長さの複数倍ある電流パスと、

 (c) means at said face including a metal-to-silicon contact area directly connected to said metal bonding pad without intervening resistor devices, said means coupling said current path in series between said metal bonding pad and a voltage supply terminal of said chip,

　（ｃ）抵抗素子を介在させず、前記金属ボンディングパッドと直接結合された金属－シリコン間接触領域を含む、前記表面に形成された手段であって、前記金属ボンディングパッドと前記チップの電圧供給端子との間に前記電流パスを直列に結合する手段とを有し

 (d) said contact area extending along the face parallel to the width dimension of said current path, for at least a substantial part of the width thereof, said contact area being spaced from said current path by an amount at least about twice the length of the current path.

　（ｄ）前記接触領域は、前記幅の少なくとも大部分に対して前記電流パスの幅寸法に平行な前記表面に沿って延びており、前記接触領域は前記電流パスの長さの少なくとも約２倍の距離だけ前記電流パスから離して配置されている、

半導体デバイス用保護構造。

＜訳者コメント＞

・請求項１（ｃ）の「the width of said source-to-drain path is at least about 25 times the length of the source-to-drain path」は、明細書の文言にサポートがないように思われます（Fig.2でサポートしているのかもしれません）。

→日本では、クレームのサポートを、明細書中でしなければなりませんが、米国では、クレーム自体がサポートになるようです。

・請求項４（ｂ）「a current path in said face of the silicon chip at the surface thereof」の訳は疑問が残ります。faceとsurfaceの違いを調べると、「faceの集合体がsurfaceである」とありました（http://homepage1.nifty.com/AXIS/SUT.htm）。Fig.3を参照して、「前記シリコンチップの表面で、その表面の一部の中に形成された電流パス」と訳しました。但し、thereofが「current path」のことか「silicon chip」のことか疑問が残ります。

・請求項４（ｃ）の「means」はFig.1等から「metal conductor 11」のことと解釈しました。

■ポイント

約：日本では拒絶理由になるが、一応訳すこと！「約」を残すか、除くかの判断は、特許事務所の仕事であるため。

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substantial

1.

of ample or considerable amount, quantity, size, etc.:

a substantial sum of money.

2.

of a corporeal or material nature; tangible; real.

3.

of solid character or quality; firm, stout, or strong:

a substantial physique.

4.

basic or essential; fundamental:

two stories in substantial agreement.

5.

wealthy or influential:

one of the substantial men of the town.

6.

of real worth, value, or effect:

substantial reasons.

7.

pertaining to the substance, matter, or material of a thing.

→ここでは、「実質的」と訳すよりも、上記1より「大部分」と訳したほうがよい。
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デザインルールチェック
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%87%E3%82%B6%E3%82%A4%E3%83%B3%E3%83%AB%E3%83%BC%E3%83%AB%E3%83%81%E3%82%A7%E3%83%83%E3%82%AF